英特尔第四代至强 Sapphire Rapids 处理器确认：搭载

　　英特尔第四代至强 Sapphire Rapids 处理器确认：搭载 HBM 内存多芯片封装IT之家10 月 17 日讯息，据外媒 TomsHardware 讯息，英特尔近期确认了第四代至强 Xeon“Sapphire Rapids”办事器统治器。这款统治器的实照相被一名工程师@wassickt 曝光，他示意统治器的照片来自于英特尔 IMAPS 2021 幻灯片。

　　从图中可能看出，统治器封装了四颗 CCD 中央，每颗中央旁均装备两片长方形的 HBM 内存芯片。爆料者示意这或许是 HBM2E 显存。每颗统治器中央将具备两条 1024 位内存总线E 内存模范，其最高传输速度为 3.2GT/s，不过 SK 海力士此前依然量产速率为 3.6GT/s 的 16GB HBM 芯片。

　　依据计划，英特尔倘若行使了最新的 HBM2E 内存，那么统治器总内存带宽可达 3.68TB/s（或每个芯片 921.6GB/s）。

　　IT之家领会到，英特尔下一代 Sapphire Rapids 统治器还将采用 BGA 格式与主板衔尾，直接焊接正在主板上。外媒示意，因为统治器集成了太众芯片，间隔基板边沿分外窄，所以不得不采用这种格式举行安设，不成能装备古板的上盖。依据此前爆料，这款统治器最高将具有 56 个中央，增援 8 通道 DDR5 内存，TDP 350W。

　　除此以外，这款统治器还将增援 PCIe 5.0，通道，增援 CXL 1.1，增援英特尔 AMX 功效以及AVX512_BF16、AVX512_VP2INTERSECT 指令集。产物还会增援 DSA 数据流加快技能，餍足专业数据核心的需求。