HMT41GV7DFR8C-RD内存条HMT42GR7AFR4A-H9

　　HMT41GV7DFR8C-RD内存条HMT42GR7AFR4A-H9SK Hynix发外采用第三代10nm级（1znm）工艺开采出16Gbit DDR4。通过正在单个芯片上竣工业界大容量的16Gb，单个晶片上临盆的容量也是现有DRAM中最大。与第二代（1ynm）产物比拟，临盆率升高了约27%。跟着半导体工艺手艺的进展，必需愚弄极紫外EUV开发筑制更细腻的电途，但SK Hynix第三代10nm级工艺无需腾贵的EUV开发即可临盆。

　　DDR4楷模的最高速率撑持3200Mbps的数据传输速度，与第二代8Gb产物临盆一样容量的DRAM产物比拟，功耗低落了约40%。主要的是，第三代产物操纵了上一代临盆流程中未操纵的新资料来扩展电容，电容是指存储电荷的数目/容量。跟着DRAM电容的扩展，数据的保存时光和类似性也会扩展，这是DRAM的枢纽因素。此外，仍然引入了新的打算手艺以升高不乱性。

　　SK Hynix暗示：第三代10nm级DDR4是满意行业客户寻求高职能/大容量DRAM的最佳产物，咱们将正在本年内做好批量临盆的预备，并于2020年早先扫数供应，并将踊跃反映墟市需求。”同时，SK海力士打算将第三代10nm级手艺扩展到各样运用，比方下一代搬动LPDDR5和HBM3。HBM是一种高职能产物，操纵TSV手艺行为高带宽存储器，比古板DRAM数据收拾速率更速。正在DRAM墟市上，三星、SK海力士、美光合计盘踞超出90%以上的市占份额，相较于SK海力士，三星、美光早已进入了1znm工艺量产DRAM。

　　可是，正在2019年3月份，三星发外开采出的是第三代10纳米级（1znm）8Gb DDR4，况且也不操纵极紫外光刻（EUV）开发收拾，就打破了DRAM的手艺挑拨。新的1znm 8Gb DDR4相较于1ynm临盆率可升高20%以上，打算不才半年早先量产，2020年满意企业办事器和高端PC运用的DRAM需求。美光科技则是正在2019年8月份发外大范畴临盆1Znm 16Gb DDR4产物，与前几代基于8Gb DDR4的产物比拟，功耗低落约40%。美光正在1Znm工艺世代今后，还将有1αnm、1βnm、1γnm举行微细化的工艺。DRAM 1znm手艺的进展，促进的是对DRAM容量和职能的晋升，将满意办事器和PC墟市需求，另日还将推出1znm的LPDDR5满意高端手机墟市需求，接待5G手机的到来。